为满足纳米级电子束曝光系统的要求，系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路，并采用机控制。机通过图形发生器和数模转换电路去驱动等仪器的扫描线圈，从而使电子束偏转并控制束闸的通断。通过可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台，还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件也可以新建或导入多种通用格式的曝光图形。
曝照所需电子束是由既有的产生的电子束(离子束)提供。
电子射出后，受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动，并受中轴周围磁透镜作用形成聚焦电子束而对样本表面进行扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描与矢量扫描。
扫描过程中，电子束的开启与阻断是由电子束阻断器所控制。电子束阻断器通常安装在磁透镜组上方，其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。
(三) 阻剂(光阻)
阻剂是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。高能电子束的照射会改变阻剂材料的特性，再经过显影后，曝照(负阻剂)或未曝照(正阻剂)的区域将会留在基材表面，显出所设计的微影图案，而后续的制程将可进一步将此图案转移到阻剂以下的基材中。
湿度传感器测量精度:
和测量范围一样，测量精度同是传感器重要的指标。每提高一个百分点。对传感器来说就是上一个台阶，甚至是上一个档次。因为要达到不同的精度，其制造成本相差很大，售价也相差甚远。例如进口的1只廉价的湿度传感器只有几美元，而1只供标定用的全湿程湿度传感器要几百美元，相差近百倍。所以使用者一定要量体裁衣，不宜盲目追求。
生产厂商往往是分段给出其湿度传感器的精度的。如中、低湿段(0-80%RH)为±2%RH，而高湿段(80-RH)为±4%RH。而且此精度是在某一温度下(如25℃)的值。如在不同温度下使用湿度传感器.其示值还要考虑温度漂移的影响。众所周知，相对湿度是温度的函数，温度严重地影响着空间内的相对湿度。温度每变化0.1℃。将产生0.5%RH的湿度变化(误差)。使用场合如果难以做到恒温，则提出过高的测湿精度是不合适的。因为湿度随着温度的变化也漂忽不定的话，奢谈测湿精度将失去实际意义。所以控湿首先要控好温，这就是大量应用的往往是温湿度一体化传感器而不单纯是湿度传感器的缘故。
多数情况下，如果没有的控温手段，或者被测空间是非密封的，±5%RH的精度就足够了。对于要求控制恒温、恒湿的局部空间，或者需要随时跟踪记录湿度变化的场合，再选用±3%RH
以上精度的湿度传感器。与此相对应的温度传感器，其测温精度须足±0.3℃以上，起码是±0.5℃的。而精度高于±2%RH的要求恐怕连校准传感器的标准湿度发生器也难以做到，更何况传感器自身了。物质研究中心湿度室的文章认为:“相对湿度测量仪表，即使在20-25℃下，要达到2%RH的准确度仍是很困难的。”
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